2025年4月11日晚间，江苏卓胜微电子股份有限公司（简称“卓胜微”，证券代码：300782）发布涉诉公告。公告显示，卓胜微已于近日收到了株式会社村田制作所（Murata Manufacturing Co.，Ltd.）向韩国首尔中央地方法院，以及上海知识产权法院提起的专利侵权起诉书。其中韩国涉及一起案件，上海涉及四起案件。
通过对村田在国内和韩国起诉卓胜微的包括其滤波器基础结构的专利进行深度分析，所有TF SAW恐受影响。卓胜微高端滤波器及所有模组后续恐完全无法出海。
在上海知识产权法院的四起案件中，涉及四件发明专利：ZL201480066958.9（弹性波装置以及滤波器装置）、ZL201580059165.9（弹性波装置）、ZL201680030389.1（滤波器装置）、ZL201680046210.1（弹性波装置、高频前端电路以及通信装置）。
（一）ZL201680046210.1（弹性波装置、高频前端电路以及通信装置）
该专利的申请日是2016年08月31日，授权日是2021年10月26日。专利是关于TF SAW的叠层设计，用于高阶模态杂波抑制的关键专利 ~ 该专利对大带宽滤波器，以及多工器的产品尤其重要。
专利ZL201680046210.1中配图，经典的TFSAW叠层结构 IDT/LiTaO3/氧化硅/硅
不同于24年，之前村田被无效的关于TFSAW叠层专利（CN 106209007 B），着重于Q值的提升。这个专利着重在更加细化的杂波抑制提方发面，通过将叠层分单晶硅晶向（数字2标记）；氧化硅厚度（数字3标记）；LiTaO3厚度（数字4标记）三个层面进行了细化，降低高阶模态相应强度。其基本的权利要求分三个部分：
1 本发明涉及的弹性波装置是如下的弹性波装置， 即， 具备： 包含硅的支承基板； 直接或间接设置在所述支承基板上的压电膜；以及设置在所述压电膜的一个面的IDT电极， 在所述压电膜中传播的高阶模式的声速设为与衬底中的声速VSi相同， 或者与所述声速VSi相比为高速。
2 在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的案例中， 在将由所述IDT电极的电极指间距确定的弹性波的波长设为λ时， 包含所述氧化硅的电介质膜的膜厚为1 .2λ以下。 在该情况下， 能够更有效地抑制高阶模式的响应。 更优选地， 在将由所述IDT电极的电极指间距确定的弹性波的波长设为λ时， 包含所述氧化硅的电介质膜的膜厚为0 .6λ以下。 在该情况下， 能够更进一步有效地抑制高阶模式的响应。
3 在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中， 在将由所述IDT电极的电极指间距确定的弹性波的波长设为λ时， 包含所述LiTaO3的压电膜的膜厚处于0 .05λ以上且3 .5λ以下的范围。 在该情况下， 能够更有效地抑制高阶模式的响应。 更优选地， 包含所述LiTaO3的压电膜的膜厚为1 .5λ以下。 在该情况下， 能够更进一步有效地抑制高阶模式的响应。 进而， 更优选地， 包含所述LiTaO3的压电膜的膜厚为0 .5λ以下。 在该情况下， 能够更进一步有效地抑制高阶模式的响应， 且能够更进一步提高主模式的响应的Q。
据从业者专家向作者透漏，该专利是TF SAW在产品拓展到多工器之后的一个自然延伸，也是高阶POI衬底叠层设计的关键，多工器设计的关键。
该个专利到期时间为2036年，距离失效还有11年。
专利ZL201680046210.1中配图，左图一般叠层设计的TFSAW谐振器响应，H1a，及H1b高阶模态杂波强度极高；右图采用专利中优化的叠层设计，H1a，及H1b高阶模态杂波强度大幅降低
卓胜微目前量产的TFSAW衬底来源于SOITEC，根据SOITEC的销售范围，所有TFSAW均在此专利范围以内。
（二）ZL201480066958.9（弹性波装置以及滤波器装置）（授权号：CN 105814794 B）
该专利的申请日是2014年12月19日，授权日是2019年05月17日。专利是关于TF SAW中，横向杂波抑制的关键专利 ~ 倾斜IDT电极。
左图专利ZL201480066958.9中配图，右图村田IHP SAW 开盖图（引自Systemplus）
其权力要求1是这样描述的：
1 .一种弹性波装置，具有由LiTaO3构成的压电膜，其中，所述弹性波装置具备：
由LiTaO3构成的所述压电膜；
和形成在所述压电膜的一面的IDT电极；
所述IDT电极具有： 多条第1电极指、 和与所述第1电极指相互间插的多条第2电极指；
在将以所述IDT电极的电极指的周期确定的波长设为λ时， 所述由LiTaO3构成的压电膜的膜厚为10λ以下；
相对于由所述LiTaO3的欧拉角（ ） 规定的通过IDT电极激振的弹性波的传播方向 ， 将所述多条第1电极指的前端连结的方向以及将所述第2电极指的前端连结的方向成v的倾斜角度， 该倾斜角度v处于0.4°以上、15°以下的范围。
据从业者专家向作者透漏，该专利特征非常明显，是村田IHP的标志性设计。即便是高通的TF SAW也不敢使用倾斜电极的设计，只有部分中国厂商存在部分侥幸心理。
需要注意的是ZL201480066958.9这个专利到期时间为2034年，距离失效还有将近10年。若要避开此专利，只能采用设计更为复杂的Piston方案，但国际大厂在Piston结构方面的布局非常全面，短时恐难突破。
（三）ZL201580059165.9（弹性波装置）（授权号：CN 107112975 B）
该专利的申请日是2015年10月22日，授权日是2020年11月17日。专利是关于TF SAW中，用于横向杂波抑制Piston结构细化的关键专利 ~ 汇流条Busbar中开孔。
左图专利ZL201580059165.9中配图，右图村田IHP SAW 开盖图。两者关于Piton结构及汇流条开孔的图形一致
其权力要求1是这样描述的：
1 .一种弹性波装置， 具有压电膜， 所述弹性波装置具备：
高音速件， 与在所述压电膜中传播的弹性波的音速相比， 传播的体波音速为高速；
低音速膜， 层叠在所述高音速件上， 与在所述压电膜中传播的弹性波音速相比， 传播的体波音速为低速；
所述压电膜， 层叠在所述低音速膜上； 以及IDT电极， 形成在所述压电膜的一个面；
所述IDT电极具有：第1汇流条；第2汇流条， 与所述第1汇流条隔开配置；
多根第1电极指， 基端与所述第1汇流条电连接， 前端朝向所述第2汇流条延伸； 以及多根第2电极指， 基端与所述第2汇流条连接， 前端朝向所述第1汇流条延伸，
在将与所述第1电极指以及所述第2电极指延伸的方向正交的方向设为宽度方向时， 在所述第1电极指以及所述第2电极指中的至少一方中， 与所述第1电极指以及所述第2电极指的长度方向中央相比宽度方向尺寸被设得较大的宽宽度部设置在与中央区域相比更靠近所述基端侧以及所述前端侧中的至少一侧，
所述第1汇流条以及所述第2汇流条中的至少一方具有沿着所述第1汇流条或所述第2汇流条的长度方向分离配置的多个开口部，
所述第1汇流条以及所述第2汇流条中的至少一方具有：
内侧汇流条部， 位于与所述开口部相比更靠近所述第1电极指或所述第2电极指侧， 且在所述第1汇流条以及所述第2汇流条的长度方向上延伸；
中央汇流条部， 设置有所述开口部； 以及外侧汇流条部， 相对于所述内侧汇流条部夹着所述中央汇流条部位于相反侧。
据从业者专家向作者透漏，该专利是对村田经典锤头形状Piston结构的补充。同样是村田的标志性设计。能够有效地抑制横向模式杂波的强度，进而提高Q值。并且，该结构不需要额外的光刻及沉积步骤，制造工序简单，可以有效节省成本。
该个专利到期时间为2035年，距离失效还有10年。
左图无Busbar开孔的谐振器性能，右图有Busbar开孔的谐振器性能。 可见Busbar开孔可有效降低杂波强度并提高Q值
村田Busbar开孔 + Piston结构细节图
（四）ZL201680030389.1（滤波器装置）（授权号：CN 107615654 B）
该专利的申请日是2016年06月13日，授权日是2020年08月21日。专利是关于TF SAW中，用于横向杂波抑制Piston结构 + 倾斜电极混合使用的关键专利 ~ DMS使用Piston结构抑制杂波，一般的谐振器使用倾斜电极。
专利ZL201680030389.1中配图，左侧数字5所指结构为DMS其采用Piston结构，右侧数字21，及22所指为谐振器，为倾斜电极结构
关于本专利的特征：
在如下方面具有特征，在纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中如上述那样不采用倾斜型IDT而利用Piston模式， 另一方面， 在作为第2带通型滤波器的梯型滤波器中， 不采用Piston模式而采用了倾斜型IDT。由此， 在DMS以及梯形滤波器双方，都能够有效地抑制插入损耗的劣化。
所述纵向耦合谐振器型弹性波滤波器以及所述弹性波谐振器具有： 压电膜， 由LiTaO3构成；以及高声速构件， 所传播的体波(Bulk wave)的声速与在所述压电膜中传播的弹性波的声速相比为高速， 所述压电膜直接或间接地层叠在所述高声速构件上。
有趣的是，据从业者专家向作者透漏，该专利村田并未在实际产品中使用，村田一般全部使用倾斜电极（无DMS设计），或者全部使用Piston结构。可能的原因是，混合的情况面积利用不高，会增加成本。
该个专利到期时间为2036年，距离失效还有11年。
可见TF SAW这条技术路线上的路障极多。村田已对国内滤波器厂商开展了专利维权动作。
村田在国内和韩国针对卓胜微滤波器基础结构的诉讼恐将会波及到所有TF SAW。卓胜微的高端滤波器及所有模组的出海无疑将会面临前所未有的挑战。
