半导体

氮化铝（Aluminum Nitride，简称AlN）是一种重要的无机材料，具有优良的导热性、电绝缘性和化学稳定性，因此在电子器件、照明、散热器等领域有广泛应用。

这场革命始于 1971 年英特尔推出的Intel 4004芯片（4 Bit, 2300 Transistors），紧随其后的是该公司推出的Intel 8008芯片（8 Bit, 3098 Transistors）。事实上，微处理器诞生的故事要丰富得多。德州仪器（Texas Instruments）推出的一款被遗忘的TMX 1795芯片（8 Bit, 3078 Transistors）曾经击败了Intel 8008芯片，但却最终被市场遗忘。

碳化硅（SiC）是一种极其坚硬的硅和碳形成类似于金刚石的强共价键的的晶体化合物。其具有高导热性、高温强度、低热膨胀性和耐化学反应性，其导电率介于金属和绝缘材料之间。这一特性与其热特性相结合，使碳化硅成为传统硅基半导体的替代品。

摩尔定律的逐渐终结绝非进步的终结，而是将开启信息技术的新时代，因为研究和开发的重点将从长期存在的技术的小型化转移到新设备、新集成技术的协调引入，以及新的计算架构。

摩尔定律观察到集成电路 (IC) 中的晶体管组件的数量大约每两年翻一番。摩尔定律是否可以继续指导当前的集成电路工业市场？这是一个非常复杂且具有挑战性的问题，随着科学技术的快速发展，这个行业已经逐渐发展成为了复杂的交叉学科领域。我们不妨回到1965年摩尔定律最初诞生那一刻来一起回顾这个指导着现代集成电路发展的重要理论。

超高质量表面声波滤波器I.H.P. SAW具有新颖的多层结构（钽酸锂/二氧化硅/氮化铝/硅衬底），可将SAW表面声波能量限制在基板表面区域，并表现出极高的品质（Q）因数、较低的频率温度系数（TCF）和优化的机电耦合系数（K2）。日本村田制造所（Murata）在IEEE IUS发表的原创作品无疑颠覆了业内一直以来对SAW表面声波滤波器的认知，推动了行业的发展。

代表了博通FBAR产品器件另一个典型结构即其晶圆级封装(WLP, Wafer Level Package)结构，博通公司称之为“Micro-Cap”，使用Au-Au键合，带凹槽的Silicon Cap wafer实现带空气腔的WLP。该结构是博通公司FBAR产品具有高可靠性高稳定性的关键，是其核心专利技术之一。

博通是首批商业化薄膜体声学滤波器(FBAR)的公司之一，其FBAR滤波器具有明显的技术优势，可让移动手机在当今拥挤的 RF 频谱中更高效地运行。其核心专利US9219464B2展示了四个关键结构特征部位，博通公司的核心专利也围绕其布局。

高峰论坛开元通信被公开指证剽窃。用事实说话：深度探索还原Broadcom的FBAR技术，审视每一个核心专利的关键技术细节。希望国内自研FBAR器件的公司能持续自研道路，发展原创设计并积累技术，早日在国际舞台直面竞争而不落下风。

随着智能手机和移动设备的大规模普及，基于薄膜体声波谐振器（Film Bulk Acoustic Resonator，FBAR）的滤波器的研究与开发受到了全球工业界和学术界的关注。更严格的插损、更大的带宽、更小的占位面积以及更高的性能决定了移动设备以更低的功耗和更快的速度筛选信号并进行高质量数据通信。那么这个原创技术是如何兴起并快速发展到今天的呢？