射频半导体

砷化镓（Gallium Arsenide，GaAs）作为一种重要的半导体材料，具有优良的电学特性和高速电子运输能力，因此在半导体领域有着广泛的应用。

氮化铝（Aluminum Nitride，简称AlN）是一种重要的无机材料，具有优良的导热性、电绝缘性和化学稳定性，因此在电子器件、照明、散热器等领域有广泛应用。

超高质量表面声波滤波器I.H.P. SAW具有新颖的多层结构（钽酸锂/二氧化硅/氮化铝/硅衬底），可将SAW表面声波能量限制在基板表面区域，并表现出极高的品质（Q）因数、较低的频率温度系数（TCF）和优化的机电耦合系数（K2）。日本村田制造所（Murata）在IEEE IUS发表的原创作品无疑颠覆了业内一直以来对SAW表面声波滤波器的认知，推动了行业的发展。

代表了博通FBAR产品器件另一个典型结构即其晶圆级封装(WLP, Wafer Level Package)结构，博通公司称之为“Micro-Cap”，使用Au-Au键合，带凹槽的Silicon Cap wafer实现带空气腔的WLP。该结构是博通公司FBAR产品具有高可靠性高稳定性的关键，是其核心专利技术之一。

博通是首批商业化薄膜体声学滤波器(FBAR)的公司之一，其FBAR滤波器具有明显的技术优势，可让移动手机在当今拥挤的 RF 频谱中更高效地运行。其核心专利US9219464B2展示了四个关键结构特征部位，博通公司的核心专利也围绕其布局。

高峰论坛开元通信被公开指证剽窃。用事实说话：深度探索还原Broadcom的FBAR技术，审视每一个核心专利的关键技术细节。希望国内自研FBAR器件的公司能持续自研道路，发展原创设计并积累技术，早日在国际舞台直面竞争而不落下风。

随着智能手机和移动设备的大规模普及，基于薄膜体声波谐振器（Film Bulk Acoustic Resonator，FBAR）的滤波器的研究与开发受到了全球工业界和学术界的关注。更严格的插损、更大的带宽、更小的占位面积以及更高的性能决定了移动设备以更低的功耗和更快的速度筛选信号并进行高质量数据通信。那么这个原创技术是如何兴起并快速发展到今天的呢？