半导体专栏作家

通过表面单晶硅CMOS MEMS工艺制造的压阻式温度传感器具有体积小、高适应性和低响应时间的优势。多层悬臂梁的底层和顶层分别为单晶硅和铝，中间为Si3N4/SiO2复合层。硅层通过离子注入形成压阻元件。

结合“自上而下”和“自下而上”策略的晶圆级微型气体传感器高通量制造方法。通过MEMS技术制造微热板传感器芯片，并通过模板引导的可控去湿法原位生长Ni(OH)2纳米墙，所得传感器在电学性能和气体检测响应方面表现出优异的再现性。这种方法为大规模低成本生产高性能气体传感器提供了一种新的途径。

最常见的大规模生产的半导体器件的制造工艺是CMOS技术。将CMOS电子设备和微机电系统（MEMS）器件集成在单个芯片上（CMOS-MEMS）可以降低制造成本、减小尺寸、减少寄生效应、降低功耗，并且速度更快，这与其他集成方法相比具有优势。

大多数微机电系统（MEMS）设备必须与集成电路（ICs）结合使用，才能在更大的电子系统中运行。微系统与纳米工程杂志回顾了传统的方法以及创新和新兴的MEMS和IC集成方法。

Petersen的论文《硅作为机械材料》是一部开创性的作品，影响了后续的研究和开发，巩固了硅在电子学和现代机械应用中的基本材料地位。

无线射频通信领域的一个前沿课题是100GHz以上的频率，通常被称为太赫兹（THz）。主流研究包括D波段（110-170GHz），以及由IEEE 802.15.3d标准定义的更高频段（252-322GHz）。这些频率远远超出了今天Wi-Fi和5G标准中包含的最高毫米波频段。